光大证券：半导体复苏预期渐浓 Low-α球硅球铝、氧化锆、纳米银有望受益

　　，其中存储芯片、EUV光刻胶以及纳米银的增长值得关注。存储芯片方向，建议关注Low-α球硅/球铝上市企业联瑞新材(688300.SH)等;EUV光刻胶方向，根据清华大学最新研究进展，可能采用氧化锆基光刻胶的技术路线，建议关注锆金属上市企业东方锆业(002167.SZ);纳米银方向，建议关注西部材料(002149.SZ)(目前公司研发的纳米银线主要应用于柔性屏，是否能实际应用于功率半导体封装尚未明晰)。

　　近日，6家市场调研机构分别更新了对2024年半导体市场增速的预测，增速在13%~20%不等。

　　根据WSTS于2023.11月发布的统计与预测，2023年全年半导体市场规模整体下降9.4%，而2024年半导体市场整体规模将增长13.1%，其中存储芯片行业规模有望飙升至1300亿美元左右，相比前一年大幅增长超过40%。

　　HBM属于存储芯片中的一种，由于高带宽、高容量、低功耗等优势，突破了内存容量与带宽瓶颈，受到了存储巨头的高度重视。根据2023-11-24外发的研报《Low-α球铝/球硅材料有望显著受益于先进封装大发展——HBM概念股异动点评》，HBM的快速增长将带来Low-α球硅/球铝的需求增长，预计到2025年，Low-α球硅/球铝的市场空间将分别是2022年的1.66/2.91倍。

　　2023年半导体前道晶圆制造材料的国产化率较低的三个品种为：光刻胶、掩膜版和前驱体。

　　2023年中国半导体晶圆制造材料的整体国产化率为20%-30%，其中电子特气、靶材国产化率约为30-40%;硅片、湿电子化学品、CMP耗材总体国产化率约在20-30%。而光刻胶的国产化率仍然较低，其中EUV光刻胶的国产化率为0，ArF光刻胶国产化率仅1%;此外，掩膜版、前驱体材料的国产化率也相对而言较低。

　　EUV光刻胶为目前最前沿的技术难题，以氧化锆为主要成分的金属基光刻胶为目前研究进展较快的技术路线。

　　目前已报道的EUV光刻胶类型主要包括聚合物基光刻胶、有机分子玻璃光刻胶、金属基光刻胶等。由于金属基光刻胶的尺寸小、EUV吸收率高以及抗刻蚀性强，金属基光刻胶得到了更为广泛的研究。2023年10月，清华大学的何向明研究员、徐宏副教授研发出了一种极其灵敏的氧化锆杂化光刻胶系统，其灵敏度几乎比聚合物基光刻胶高出两个数量级。

　　2020至2025年，EUV光刻胶的市场占有率将由不到1%增长到10%，氧化锆需求也有望受到拉动。

　　根据TECHCET数据，2020年全球半导体光刻胶市场中占比最大的为ArFi，达40%，其次为KrF占比33%，EUV仅占不到1%。而据集邦咨询预测，随着业界对提高计算能力和能效的芯片的追求，EUV光刻胶将迎来大幅增长，预计到2025年，EUV光刻胶将占据10%的市场份额。

　　纳米银烧结工艺是一种采用纳米银浆料作为导电粘结材料的芯片封装方法。简单说就是用纳米银取代传统封装工艺中的金、锡等金属焊料。纳米银的低温连接、高服役温度、高连接强度、高导热率，使得其特别适合作为大功率模块的封装材料。目前，半导体封装用纳米银的应用仍然处于起步阶段，市场空间广阔。